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FDP023N08B-F102

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FDP023N08B-F102

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3
Serie PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max) 245W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen FDP023N08B_F102
FDP023N08B_F102-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13765pF @ 37.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75V
detaillierte Beschreibung N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)

FDP023N08B_F102

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:50292
  • 1 pcs$3.594
  • 10 pcs$3.173
  • 50 pcs$2.924
  • 100 pcs$2.671
  • 500 pcs$2.336
  • 1000 pcs$2.284

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