FGB40N6S2
FGB40N6S2
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | IGBT 600V 75A 290W TO263AB |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
Testbedingung | 390V, 20A, 3 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 8ns/35ns |
Schaltenergie | 115µJ (on), 195µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
Serie | - |
Leistung - max | 290W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen | FGB40N6S2_NL FGB40N6S2_NL-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 35nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 75A 290W Surface Mount TO-263AB |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 180A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 75A |
Basisteilenummer | FGB40N6 |
RFQ |
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