MC1413BDR2G
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MC1413BDR2G
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Transistor-Typ | 7 NPN Darlington |
Supplier Device-Gehäuse | 16-SOIC |
Serie | - |
Leistung - max | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | MC1413BDR2GOS MC1413BDR2GOS-ND MC1413BDR2GOSTR |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 1000 @ 350mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Basisteilenummer | MC1413B |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$0.654
- 10 pcs$0.548
- 30 pcs$0.495
- 100 pcs$0.443
- 500 pcs$0.36
- 1000 pcs$0.343
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von MC1413BDR2G
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