MUN5138T1G
MUN5138T1G
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 202MW |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-3 (SOT323) |
Serie | - |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 202mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 21 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 160 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
MUN2138/5138, DTA123T, NSBA123TF3 RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 15000 pcs$0.027
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Einführung von MUN5138T1G
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