NGTB40N60IHLWG
NGTB40N60IHLWG
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | IGBT 600V 40A TO247 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
Testbedingung | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 70ns/140ns |
Schaltenergie | 400µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 400ns |
Leistung - max | 250W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Andere Namen | NGTB40N60IHLWG-ND NGTB40N60IHLWGOS |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Gate-Ladung | 130nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT Trench Field Stop 600V 80A 250W Through Hole TO-247 |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 80A |
RFQ |
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