IXGM40N60
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IXGM40N60
Hersteller | IXYS Corporation |
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Beschreibung | POWER MOSFET TO-3 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
Testbedingung | 480V, 40A, 22 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 100ns/600ns |
Schaltenergie | - |
Supplier Device-Gehäuse | TO-204AE |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 200ns |
Leistung - max | 250W |
Verpackung / Gehäuse | TO-204AE |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 250nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-204AE |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 75A |
RFQ |
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