IXGT20N120BD1
IXGT20N120BD1
Hersteller | IXYS Corporation |
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Beschreibung | IGBT 1200V 40A 190W TO268 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A |
Testbedingung | 960V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 25ns/150ns |
Schaltenergie | 2.1mJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-268 |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40ns |
Leistung - max | 190W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 72nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT 1200V 40A 190W Surface Mount TO-268 |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 40A |
Basisteilenummer | IXG*20N120 |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$8.775
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