IRF8313TRPBF
IRF8313TRPBF
Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) |
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Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V |
Leistung - max | 2W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | IRF8313TRPBFTR SP001577640 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.7A 2W Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.7A |
Basisteilenummer | IRF8313PBF |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 5 pcs$0.313
- 50 pcs$0.251
- 150 pcs$0.225
- 500 pcs$0.192
- 3000 pcs$0.177
- 6000 pcs$0.169
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von IRF8313TRPBF
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