QH8MA3TCR
QH8MA3TCR
Hersteller | LAPIS Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device-Gehäuse | TSMT8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 7A, 10V |
Leistung - max | 1.5W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Andere Namen | QH8MA3TCRTR |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
Typ FET | N and P-Channel |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A, 5.5A |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$0.96
- 10 pcs$0.869
- 30 pcs$0.82
- 100 pcs$0.762
- 500 pcs$0.738
- 1000 pcs$0.727
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von QH8MA3TCR
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