PDTA113EE,115
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PDTA113EE,115
| Hersteller | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-75 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
| Andere Namen | 934058804115 PDTA113EE T/R PDTA113EE T/R-ND |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 40mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | PDTA113 |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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