PDTC143TS,126
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PDTC143TS,126
| Hersteller | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Leistung - max | 500mW |
| Verpackung | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen | 934057572126 PDTC143TS AMO PDTC143TS AMO-ND |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | DTC143 |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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