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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DTC124XM3T5G

DTC124XM3T5G

DTC124XM3T5G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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DTC124XM3T5G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónTRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo SOT-723
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potencia - Max 260mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-723
Otros nombres DTC124XM3T5G-ND
DTC124XM3T5GOSTR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base DTC124

MUN(2,5)234, MMUN2234L, DTC124Xyy

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:214889
  • 8000 pcs$0.059

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