NVB6413ANT4G
NVB6413ANT4G
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | D2PAK-3 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 28 mOhm @ 42A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 136W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
Descripción detallada | N-Channel 100V 42A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
RFQ |
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