SIE822DF-T1-E3
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SIE822DF-T1-E3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 10-PolarPAK® (S) |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 10-PolarPAK® (S) |
| Otros nombres | SIE822DF-T1-E3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| RFQ | |
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