IXTP120N04T2
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IXTP120N04T2
| Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB |
| Serie | TrenchT2™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 6.1 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 200W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V |
| Descripción detallada | N-Channel 40V 120A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 50 pcs$2.259
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