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BSM25GD120DN2BOSA1

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BSM25GD120DN2BOSA1

FabricanteInternational Rectifier (Infineon Technologies)
DescripciónIGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSContiene plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Paquete del dispositivo Module
Serie -
Potencia - Max 200W
Paquete / Cubierta Module
Otros nombres BSM25GD120DN2
SP000100370
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
termistor NTC No
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce 1.65nF @ 25V
Entrada Standard
Tipo de IGBT -
Descripción detallada IGBT Module Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount Module
Corriente - corte del colector (Max) 800µA
Corriente - colector (Ic) (Max) 35A
Configuración Full Bridge
RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:152
  • 10 pcs$106.588

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