RN2304(TE85L,F)
RN2304(TE85L,F)
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descripción | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Paquete del dispositivo | USM |
Serie | - |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Potencia - Max | 100mW |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | SC-70, SOT-323 |
Otros nombres | RN2304(TE85LF)CT |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Corriente - corte del colector (Max) | 500nA |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
RFQ |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.188
- 10 pcs$0.175
- 25 pcs$0.159
- 100 pcs$0.115
- 250 pcs$0.067
- 500 pcs$0.056
- 1000 pcs$0.038
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