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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > SMUN5211T3G

SMUN5211T3G

SMUN5211T3G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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SMUN5211T3G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionTRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SC-70-3 (SOT323)
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 202mW
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte SC-70, SOT-323
Autres noms SMUN5211T3GOSCT
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 25 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MUN52**T

MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:49297
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