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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DDTA114YUA-7-F

DDTA114YUA-7-F

DDTA114YUA-7-F
Diodes Incorporated

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DDTA114YUA-7-F

FabricantDiodes Incorporated
La descriptionTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-323
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-70, SOT-323
Autres noms DDTA114YUA-FDITR
DDTA114YUA7F
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base DDTA114

DDTA1zzzUA

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

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