SI4455DY-T1-E3
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SI4455DY-T1-E3
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | SI4455DY-T1-E3-ND SI4455DY-T1-E3TR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 150V |
| Description détaillée | P-Channel 150V 2.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$0.563
- 10 pcs$0.50
- 30 pcs$0.469
- 100 pcs$0.438
- 500 pcs$0.42
- 1000 pcs$0.411
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
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