FDMJ1032C
FDMJ1032C
Fabricant | Fairchild/ON Semiconductor |
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La description | MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75 |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Tension - Test | 270pF @ 10V |
Tension - Ventilation | SC-75, MicroFET |
Vgs (th) (Max) @ Id | 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Séries | PowerTrench® |
État RoHS | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2A, 2.5A |
Puissance - Max | 800mW |
Polarisation | 6-WFDFN Exposed Pad |
Autres noms | FDMJ1032CTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | FDMJ1032C |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3nC @ 4.5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5V @ 250µA |
Fonction FET | N and P-Channel |
Description élargie | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.5A 800mW Surface Mount SC-75, MicroFET |
Tension drain-source (Vdss) | Logic Level Gate |
La description | MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20V |
RFQ |
Citation requise
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