IPD096N08N3GBTMA1
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IPD096N08N3GBTMA1
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 46A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND IPD096N08N3GBTMA1TR SP000474196 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | N-Channel 80V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 73A (Tc) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$1.176
- 10 pcs$1.00
- 30 pcs$0.903
- 100 pcs$0.793
- 500 pcs$0.744
- 1000 pcs$0.722
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
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