SG2013J-883B
SG2013J-883B
Fabricant | Microsemi |
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La description | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Package composant fournisseur | 16-CDIP |
Séries | - |
Puissance - Max | - |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | - |
Autres noms | 1259-1108 1259-1108-MIL |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 600mA |
RFQ |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$88.238
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