RN2601(TE85L,F)
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RN2601(TE85L,F)
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| La description | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | SM6 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max | 300mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | SC-74, SOT-457 |
| Autres noms | RN2601(TE85LF)CT |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 200MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$0.678
- 10 pcs$0.487
- 25 pcs$0.378
- 100 pcs$0.286
- 250 pcs$0.203
- 500 pcs$0.162
- 1000 pcs$0.124
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
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