HGTP12N60A4
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HGTP12N60A4
fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrizione | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 600V |
Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
Condizione di test | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Td (on / off) @ 25 ° C | 17ns/96ns |
di scambio energetico | 55µJ (on), 50µJ (off) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB |
Serie | - |
Potenza - Max | 167W |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-220-3 |
Altri nomi | HGTP12N60A4_NL HGTP12N60A4_NL-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo di ingresso | Standard |
Tipo IGBT | - |
carica gate | 78nC |
Descrizione dettagliata | IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB |
Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 96A |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 54A |
Numero di parte base | HGTP12N60 |
HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9A RFQ |
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