IXTY1R6N50P
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IXTY1R6N50P
fabbricante | IXYS Corporation |
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Descrizione | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 5.5V @ 25µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Serie | PolarHV™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 6.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 43W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 1.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 70 pcs$1.215
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