APT75GN60B2DQ3G
APT75GN60B2DQ3G
fabbricante | Microsemi |
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Descrizione | IGBT 600V 155A 536W TO264 |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 600V |
Vce (on) (max) a VGE, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
Condizione di test | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
Td (on / off) @ 25 ° C | 47ns/385ns |
di scambio energetico | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
Contenitore dispositivo fornitore | - |
Serie | - |
Potenza - Max | 536W |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-264-3, TO-264AA |
temperatura di esercizio | - |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo di ingresso | Standard |
Tipo IGBT | - |
carica gate | 485nC |
Descrizione dettagliata | IGBT 600V 155A 536W Through Hole |
Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 225A |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 155A |
RFQ |
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