RN2906,LF
RN2906,LF
fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descrizione | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Contenitore dispositivo fornitore | US6 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Potenza - Max | 200mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Altri nomi | RN2906,LF(CB RN2906,LF(CT RN2906LF(CTTR RN2906LF(CTTR-ND RN2906LFTR |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 200MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 3000 pcs$0.057
- 6000 pcs$0.05
- 15000 pcs$0.042
- 30000 pcs$0.04
- 75000 pcs$0.037
- 150000 pcs$0.033
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