RN2970FE(TE85L,F)
RN2970FE(TE85L,F)
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 250µA, 5mA |
トランジスタ型式 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | ES6 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 10 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 4.7 kOhms |
電力 - 最大 | 100mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
他の名前 | RN2970FE(TE85LF)TR |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 200MHz |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 120 @ 1mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
RFQ |
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