HGT1S7N60C3DS9A
HGT1S7N60C3DS9A
제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | IGBT 600V 14A 60W TO263AB |
범주 | 이산 반도체 제품 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 600V |
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2V @ 15V, 7A |
시험 조건 | 480V, 7A, 50 Ohm, 15V |
Td (온 / 오프) @ 25 ° C | - |
에너지 전환 | 165µJ (on), 600µJ (off) |
제조업체 장치 패키지 | TO-263AB |
연속 | - |
역 회복 시간 (trr) | 37ns |
전력 - 최대 | 60W |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
작동 온도 | - |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 유형 | Standard |
IGBT 유형 | - |
게이트 충전 | 23nC |
상세 설명 | IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB |
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 56A |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 14A |
RFQ |
견적 요청
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