ZXMN3F31DN8TA
ZXMN3F31DN8TA
제조사 | Diodes Incorporated |
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기술 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
범주 | 이산 반도체 제품 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 24 mOhm @ 7A, 10V |
전력 - 최대 | 1.8W |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들 | 1034-ZXMN3F31DN8TR |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 26 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 608pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12.9nC @ 10V |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.7A |
RFQ |
참고 가격 (미국 달러 기준)
유품:7093
- 1 pcs$0.818
- 10 pcs$0.679
- 30 pcs$0.61
- 100 pcs$0.54
- 500 pcs$0.499
- 1000 pcs$0.477
위의 가격은 세금 및 배송비를 제외하고 정확한 가격은 최종 제안의 적용을받습니다.
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