SI2307BDS-T1-GE3
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SI2307BDS-T1-GE3
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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기술 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
범주 | 이산 반도체 제품 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA |
Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 78 mOhm @ 3.2A, 10V |
전력 소비 (최대) | 750mW (Ta) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
다른 이름들 | SI2307BDS-T1-GE3-ND SI2307BDS-T1-GE3TR |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 33 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 380pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET 유형 | P-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | P-Channel 30V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A (Ta) |
RFQ |
참고 가격 (미국 달러 기준)
유품:47909
- 5 pcs$0.096
- 50 pcs$0.079
- 150 pcs$0.07
- 500 pcs$0.064
- 3000 pcs$0.056
- 6000 pcs$0.054
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