SI1305DL-T1-E3
SI1305DL-T1-E3
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrição | MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3 |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SC-70-3 |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 280 mOhm @ 1A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 290mW (Ta) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SC-70, SOT-323 |
Outros nomes | SI1305DL-T1-E3TR SI1305DLT1E3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 1.8V, 4.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 8V |
Descrição detalhada | P-Channel 8V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 860mA (Ta) |
RFQ |
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