APTM100DDA35T3G
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APTM100DDA35T3G
Fabricante | Microsemi |
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Descrição | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SP3 |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 420 mOhm @ 11A, 10V |
Power - Max | 390W |
Embalagem | Bulk |
Caixa / Gabinete | SP3 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1000V (1kV) |
Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 22A |
RFQ |
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