RN1106,LF(CT
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RN1106,LF(CT
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descrição | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | SSM |
| Série | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Power - Max | 100mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SC-75, SOT-416 |
| Outros nomes | RN1106,LF(CB RN1106LF(CT RN1106LF(CT-ND RN1106LF(CTTR |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 16 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição | 250MHz |
| Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 5 pcs$0.279
- 50 pcs$0.227
- 150 pcs$0.205
- 500 pcs$0.177
- 2500 pcs$0.165
- 5000 pcs$0.157
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