NSV9435T1G
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NSV9435T1G
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-223 (TO-261) |
| Serie | - |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
| Leistung - max | 720mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 110MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223 (TO-261) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 125 @ 800mA, 1V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 3A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$0.202
- 200 pcs$0.078
- 500 pcs$0.076
- 1000 pcs$0.074
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von NSV9435T1G
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