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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > NSV9435T1G

NSV9435T1G

NSV9435T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSV9435T1G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionTRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 300mA, 3A
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261)
Séries -
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 720mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 110MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 800mA, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3A

NSB9435T1

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:15550
  • 1 pcs$0.202
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