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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > SMMUN2134LT1G

SMMUN2134LT1G

SMMUN2134LT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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SMMUN2134LT1G

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungTRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms
Leistung - max 246mW
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen SMMUN2134LT1GOSDKR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 2 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer MMUN21**L

MUN(2,5)134, MMUN2134L, DTA124Xyy

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:1655
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  • 200 pcs$0.009
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