SMMUN2116LT1G
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SMMUN2116LT1G
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | - |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Leistung - max | 246mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 160 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | MMUN21**L |
|
MUN(2,5)116, MMUN2116L, DTA143Txx RFQ |
|
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 21000 pcs$0.017
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von SMMUN2116LT1G
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