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SMMUN2116LT1G

SMMUN2116LT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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SMMUN2116LT1G

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 250mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ -
抵抗器 - ベース（R1） 4.7 kOhms
電力 - 最大 246mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 2 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 160 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA
ベース部品番号 MMUN21**L

MUN(2,5)116, MMUN2116L, DTA143Txx

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:879712
  • 21000 pcs$0.017

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