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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > SMMUN2116LT1G

SMMUN2116LT1G

SMMUN2116LT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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SMMUN2116LT1G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionTRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Séries -
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 246mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 2 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MMUN21**L

MUN(2,5)116, MMUN2116L, DTA143Txx

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:879712
  • 21000 pcs$0.017

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