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SMMUN2116LT1G

SMMUN2116LT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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SMMUN2116LT1G

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneTRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Serie -
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 246mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base MMUN21**L

MUN(2,5)116, MMUN2116L, DTA143Txx

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:879712
  • 21000 pcs$0.017

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