SI5402DC-T1-GE3
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SI5402DC-T1-GE3
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| RFQ | |
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