SI5402DC-T1-GE3
SI5402DC-T1-GE3
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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기술 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
범주 | 이산 반도체 제품 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA (Min) |
Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
전력 소비 (최대) | 1.3W (Ta) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.9A (Ta) |
RFQ |
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