DTB743XMT2L
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DTB743XMT2L
| Hersteller | LAPIS Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | VMT3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 260MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 140 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |
| Basisteilenummer | DTB743 |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 8000 pcs$0.126
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von DTB743XMT2L
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