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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DTB743XMT2L

DTB743XMT2L

DTB743XMT2L
LAPIS Semiconductor

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DTB743XMT2L

FabricanteLAPIS Semiconductor
DescripciónTRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 30V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo VMT3
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potencia - Max 150mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-723
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 260MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 200mA
Número de pieza base DTB743

DTB743XE,XM

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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