SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descripción | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 21 mOhm @ 5A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | PowerPAK® SC-70-6 |
Otros nombres | SIA483DJ-T1-GE3TR SIA483DJT1GE3 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
RFQ |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.682
- 10 pcs$0.611
- 30 pcs$0.574
- 100 pcs$0.539
- 500 pcs$0.517
- 1000 pcs$0.506
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Introducción de SIA483DJ-T1-GE3
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