SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3
fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrizione | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 21 mOhm @ 5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 |
Altri nomi | SIA483DJ-T1-GE3TR SIA483DJT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.682
- 10 pcs$0.611
- 30 pcs$0.574
- 100 pcs$0.539
- 500 pcs$0.517
- 1000 pcs$0.506
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