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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > BCR142B6327HTLA1

BCR142B6327HTLA1

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BCR142B6327HTLA1

FabricanteInternational Rectifier (Infineon Technologies)
DescripciónTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo SOT-23-3
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potencia - Max 200mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres BCR 142 B6327
BCR 142 B6327-ND
BCR142B6327HTLA1TR-NDTR
BCR142B6327HTSA1
BCR142B6327XT
SP000010774
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 150MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base BCR142

BCR142

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Introducción de BCR142B6327HTLA1

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