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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > BCR142B6327HTLA1

BCR142B6327HTLA1

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BCR142B6327HTLA1

FabricantInternational Rectifier (Infineon Technologies)
La descriptionTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Résistance - Base (R1) 22 kOhms
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms BCR 142 B6327
BCR 142 B6327-ND
BCR142B6327HTLA1TR-NDTR
BCR142B6327HTSA1
BCR142B6327XT
SP000010774
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 150MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base BCR142

BCR142

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